Instituto de Física
"Ing. Luis Rivera Terrazas"

Laboratorio Central

CARACTERIZACIÓN POR VAN DER PAUW - EFECTO HALL

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El sistema de medición de efecto Hall HMS-5000 se automatiza de tal manera que sin intervención del usuario, hará una rampa para la temperatura definida por el usuario, se estabilizará, realizará la medición (incluyendo mover el imán automáticamente) y luego calculará una variedad de propiedades del material dependientes de la temperatura.

El sistema representa la concentración, la movilidad, la resistividad, la conductividad y el coeficiente de Hall en función de la temperatura. El sistema proporciona los resultados de la prueba como datos tabulares, así como en forma de gráfico. El usuario define los pasos de temperatura deseados dentro del rango de 80K a 350K, llena los dos depósitos LN2, y luego el sistema se aplica automáticamente y cambia la corriente de entrada, mide las tensiones, cambia la temperatura y mueve los imanes sin intervención del usuario. Una vez finalizada la prueba, todos los gráficos dependientes de la temperatura y los datos tabulares están listos para su visualización.

Los sistemas se pueden utilizar para caracterizar diversos materiales incluyendo todos los semiconductores que incluyen Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (Tipo N y Tipo P pueden medirse), capas metálicas, óxidos, etc. Demostrar la capacidad del sistema.

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